نیا اوریجنل انٹیگریٹڈ سرکٹ BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC چپ
BSZ040N06LS5
Infineon کی OptiMOS™ 5 پاور MOSFETs منطق کی سطح وائرلیس چارجنگ، اڈاپٹر اور ٹیلی کام ایپلی کیشنز کے لیے انتہائی موزوں ہے۔آلات کا کم گیٹ چارج (Q g) ترسیل کے نقصانات پر سمجھوتہ کیے بغیر سوئچنگ کے نقصانات کو کم کرتا ہے۔میرٹ کے بہتر اعدادوشمار اعلی سوئچنگ فریکوئنسی پر کام کرنے کی اجازت دیتے ہیں۔مزید برآں، منطق کی سطح کی ڈرائیو کم گیٹ تھریس فراہم کرتی ہے۔ہولڈ وولٹیج (V GS(th)) جس سے MOSFETs کو 5V پر اور براہ راست مائیکرو کنٹرولرز سے چلایا جا سکتا ہے۔
خصوصیات کا خلاصہ
چھوٹے پیکج میں کم R DS(آن)
کم گیٹ چارج
کم آؤٹ پٹ چارج
منطق کی سطح کی مطابقت
فوائد
اعلی طاقت کثافت ڈیزائن
زیادہ سوئچنگ فریکوئنسی
جہاں کہیں بھی 5V سپلائیز دستیاب ہوں وہاں پرزوں کی گنتی کم ہو جاتی ہے۔
مائیکرو کنٹرولرز سے براہ راست چلایا گیا (سست سوئچنگ)
سسٹم لاگت میں کمی
پیرامیٹرکس
| پیرامیٹرکس | BSZ040N06LS5 |
| بجٹ کی قیمت €/1k | 0.56 |
| Ciss | 2400 pF |
| کوس | 500 پی ایف |
| ID (@25°C) زیادہ سے زیادہ | 101 اے |
| IDpuls زیادہ سے زیادہ | 404 اے |
| چڑھنا | ایس ایم ڈی |
| آپریٹنگ درجہ حرارت کم از کم زیادہ سے زیادہ | -55 °C 150 °C |
| Ptot زیادہ سے زیادہ | 69 ڈبلیو |
| پیکج | PQFN 3.3 x 3.3 |
| پن کاؤنٹ | 8 پن |
| قطبیت | N |
| QG (ٹائپ @4.5V) | 18 nC |
| کیو جی ڈی | 5.3 nC |
| RDS (آن) (@4.5V LL) زیادہ سے زیادہ | 5.6 mΩ |
| RDS (آن) (@4.5V) زیادہ سے زیادہ | 5.6 mΩ |
| RDS (آن) (@10V) زیادہ سے زیادہ | 4 mΩ |
| Rth زیادہ سے زیادہ | 1.8 K/W |
| RthJA زیادہ سے زیادہ | 62 K/W |
| RthJC زیادہ سے زیادہ | 1.8 K/W |
| VDS زیادہ سے زیادہ | 60 وی |
| VGS(th) کم سے زیادہ | 1.7 V 1.1 V 2.3 V |
