IPD068P03L3G نئے اصل الیکٹرانک اجزاء IC چپ MCU BOM سروس اسٹاک میں IPD068P03L3G
مصنوعات کی خصوصیات
| TYPE | تفصیل |
| قسم | مجرد سیمی کنڈکٹر مصنوعات |
| Mfr | انفائنون ٹیکنالوجیز |
| سلسلہ | OptiMOS™ |
| پیکج | ٹیپ اور ریل (TR) کٹ ٹیپ (CT) Digi-Reel® |
| پروڈکٹ کی حیثیت | فعال |
| FET قسم | پی چینل |
| ٹیکنالوجی | MOSFET (میٹل آکسائڈ) |
| ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss) | 30 وی |
| کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن) | 4.5V، 10V |
| Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs | 6.8mOhm @ 70A، 10V |
| Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID | 2V @ 150µA |
| گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs | 91 nC @ 10 وی |
| Vgs (زیادہ سے زیادہ) | ±20V |
| ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds | 7720 pF @ 15 وی |
| FET کی خصوصیت | - |
| بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ) | 100W (Tc) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| چڑھنے کی قسم | سطح کا پہاڑ |
| سپلائر ڈیوائس پیکیج | PG-TO252-3 |
| پیکیج / کیس | TO-252-3، DPak (2 لیڈز + ٹیب)، SC-63 |
| بیس پروڈکٹ نمبر | IPD068 |
دستاویزات اور میڈیا
| وسائل کی قسم | لنک |
| ڈیٹا شیٹ | IPD068P03L3 جی |
| دیگر متعلقہ دستاویزات | پارٹ نمبر گائیڈ |
| خصوصی صنعت | ڈیٹا پروسیسنگ سسٹمز |
| ایچ ٹی ایم ایل ڈیٹا شیٹ | IPD068P03L3 جی |
| ای ڈی اے ماڈلز | IPD068P03L3GATMA1 بذریعہ الٹرا لائبریرین |
ماحولیاتی اور برآمدی درجہ بندی
| وصف | تفصیل |
| RoHS حیثیت | ROHS3 کے مطابق |
| نمی کی حساسیت کی سطح (MSL) | 1 (لامحدود) |
| ریچ اسٹیٹس | غیر متاثر پہنچیں۔ |
| ای سی سی این | EAR99 |
| ایچ ٹی ایس یو ایس | 8541.29.0095 |
اضافی وسائل
| وصف | تفصیل |
| دوسرے نام | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND ایس پی001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
| معیاری پیکیج | 2,500 |
ٹرانزسٹر
ایک ٹرانجسٹر ایک ہے۔سیمی کنڈکٹر ڈیوائسکرنے کے لئے استعمال کیابڑھانایاسوئچبرقی سگنل اورطاقت.ٹرانزسٹر جدید کے بنیادی عمارتی بلاکس میں سے ایک ہے۔الیکٹرانکس.[1]پر مشتمل ہے۔سیمی کنڈکٹر موادعام طور پر کم از کم تین کے ساتھٹرمینلزالیکٹرانک سرکٹ سے کنکشن کے لیے۔اےوولٹیجیاموجودہٹرانزسٹر کے ٹرمینلز کے ایک جوڑے پر لاگو ہونے سے کرنٹ کو دوسرے جوڑے کے ذریعے کنٹرول کیا جاتا ہے۔چونکہ کنٹرول شدہ (آؤٹ پٹ) پاور کنٹرولنگ (ان پٹ) پاور سے زیادہ ہوسکتی ہے، ایک ٹرانجسٹر سگنل کو بڑھا سکتا ہے۔کچھ ٹرانزسٹروں کو انفرادی طور پر پیک کیا جاتا ہے، لیکن بہت سے دوسرے میں سرایت شدہ پائے جاتے ہیں۔انٹیگریٹڈ سرکٹس.
آسٹرو ہنگری ماہر طبیعیات جولیس ایڈگر لیلین فیلڈa کا تصور پیش کیا۔فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر1926 میں، لیکن اس وقت اصل میں کام کرنے والا آلہ بنانا ممکن نہیں تھا۔[2]بنایا جانے والا پہلا کام کرنے والا آلہ تھا۔پوائنٹ رابطہ ٹرانجسٹر1947 میں امریکی طبیعیات دانوں نے ایجاد کیا۔جان بارڈیناوروالٹر بریٹینکے تحت کام کرتے ہوئےولیم شاکلی۔پربیل لیبز.تینوں نے 1956 میں اشتراک کیا۔فزکس میں نوبل انعامان کی کامیابی کے لئے.[3]ٹرانجسٹر کی سب سے زیادہ استعمال ہونے والی قسم ہے۔دھات – آکسائیڈ – سیمی کنڈکٹر فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر(MOSFET)، جس نے ایجاد کیا تھا۔محمد عطالہاورڈاون کاہنگ1959 میں بیل لیبز میں۔[4][5][6]ٹرانسسٹروں نے الیکٹرانکس کے شعبے میں انقلاب برپا کیا، اور چھوٹے اور سستے ہونے کی راہ ہموار کی۔ریڈیو،کیلکولیٹر، اورکمپیوٹرز، دوسری چیزوں کے درمیان.
زیادہ تر ٹرانزسٹر بہت خالص سے بنائے جاتے ہیں۔سلکان، اور کچھ سےجرمینیم، لیکن بعض دیگر سیمی کنڈکٹر مواد کبھی کبھی استعمال ہوتے ہیں۔ایک ٹرانجسٹر میں صرف ایک قسم کا چارج کیریئر ہو سکتا ہے، فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر میں، یا اس میں دو قسم کے چارج کیریئر ہو سکتے ہیں۔دوئبرووی جنکشن ٹرانجسٹرآلاتکے ساتھ مقابلے میںویکیوم ٹیوب، ٹرانزسٹر عام طور پر چھوٹے ہوتے ہیں اور چلانے کے لیے کم طاقت کی ضرورت ہوتی ہے۔کچھ ویکیوم ٹیوبیں بہت زیادہ آپریٹنگ فریکوئنسیوں یا ہائی آپریٹنگ وولٹیجز پر ٹرانجسٹروں پر فائدے رکھتی ہیں۔متعدد مینوفیکچررز کے ذریعہ متعدد قسم کے ٹرانجسٹر معیاری وضاحتوں کے مطابق بنائے جاتے ہیں۔
